台达研发服务器电源供应器效率提升80%

随着数据中心不断为网络搜索、视频通话和信息存储等服务提供动力，处理能力需要变得更快、更强大，电力需求也相应增长。 如何在不增加体积或影响系统效率的情况下为服务器提供更多功率？

台达电子选择德州仪器作为合作伙伴。 通过应用TI的氮化镓(GaN)技术，并与TI在电源领域的专家合作，台达电子在数据中心的功率密度方面取得了突破。 与传统架构的服务器电源相比，台达研发的服务器电源单级效率高达99.2%，功率密度提升80%，效率提升1%。 根据能源政策局的数据，效率每提高 1%，相当于每个数据中心节省 1 兆瓦（或 800 个家庭）的总成本。

氮化镓：推动电源管理转型

氮化镓是一种宽带隙半导体材料，非常适合高性能电源开关。 任何设备在打开和关闭时都会消耗一定的电量。 与IGBT、IGBT等技术相比，氮化镓具有更低的开关功耗和更快的开关速度，可以帮助功率产品实现更高的功率密度和效率。

此外，氮化镓比纯硅解决方案更有效地处理功率，将功率转换器的功率损耗降低 80%，并最大限度地减少对冷却设备的需求。 通过在更小的空间内存储更多的电力，氮化镓可以帮助工程师设计更小、更轻的系统。

台达电子定制设计事业部研发经理董凯表示：“氮化镓的应用融合了台达电子在高效电力电子器件领域的核心专业知识，可在不降低效率表现的情况下最大化功率密度。”氮化镓技术打开了通往以前不可能的新产品世界的大门。”

TI GaN 技术优势

TI 对高度集成氮化镓技术进行了长达十年的投资。 随着市场需求的增加以及小型化系统和海量数据趋势的不断发展，我们的长期投资和灵活的制造策略将使我们成为先进的氮化镓供应商。

在性能方面，我们的氮化镓场效应晶体管（FET）集成了快速开关驱动器，以及内部保护和温度传感功能，可以在有限的电路板空间内更好地实现高性能，并且开关速度比分立氮化镓FET更快; 我们的 GaN 器件具有更快的开关速度，可以实现前所未有的开关频率，将磁性元件尺寸减小多达 60%，提高性能并降低系统成本。

此外，我们的GaN器件采用专有的GaN-on-Si工艺，并经过了超过4000万小时的可靠性测试和超过5GWh的功率转换测试，为工程师提供了严格的可靠性数据，帮助他们使用氮气。 镓创造了更小、更轻、更高效的电力系统。

台达电源及系统事业群总经理Ares Chen表示：“氮化镓已经超越了过去被视为未来技术门槛的氮化镓，现在已成为电源系统设计中立即可行的选择。通过与与TI等先进公司合作，我们能够持续提高产品的能效，为我们熟悉的电源设计和架构带来革命性的变化。”

如果您想了解更多关于TI与台达的合作以及氮化镓技术的发展，您也可以点击下方视频号观看TI Live上的技术交流研讨会视频！ 技术。

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