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FTFC仅适用于系列器件，

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1.Flsah 存储器类型 1.1 ：可以执行程序代码的非易失性闪存 1.：可以执行程序代码、存储数据、备份模拟数据的非易失性闪存 1.：RAM 可用作 SRAM或高速模拟存储以加速 编程

在安全启动期间以及作为系统RAM 运行时，[CGC] 必须为1。 • CSEc（安全）或写入/擦除将在HSRUN 模式() 中触发错误标志，因为该用例不允许同时执行。 设备需要切换到运行模式 (80Mhz) 才能执行 CSEc（安全）或写入/擦除。

2.Flsah内存大小

FTFC 模块有多种配置。 每种配置都包含一个或多个读取分区。 给定的读取分区一次只能占用一个任务。 拥有多个读取分区允许并发操作，例如边写边读 (RWW)。 必须特别考虑其中包含的分区，因为这些功能由几个方面组成，包括数据闪存、模拟备份、CSEC 功能（需要启用模拟）。 因此，可以对单个读分区请求读、编程、删除、模拟更新或CSEC加密操作，但一次只能请求其中之一。

该芯片上FLASH类型的大小如下：

可用程序闪存随着程序大小而减少。 当程序Flash被完全使用时，它就不再可用。 必须发出命令才能使所有这些内存区域可用。 • 程序闪存的推测缓冲区的大小等于程序闪存端口宽度的大小。 数据闪存推测缓冲区的大小等于数据闪存端口宽度的大小。

2.1. 128 KB 程序闪存/32 KB /2 KB 模块 ()

闪存模块由两个 NVM 读取分区和一个块组成：

1个128KB程序Flash读取分区（非交错1×128KB）

1 个读分区（非交错 1×32KB）

一

当配置为模拟时，关联将从内存映射中消失，如图所示

2.2. 256 KB 程序闪存/32 KB /2 KB 模块 ()

该256KB FTFC闪存模块由两个NVM读取分区和一个块组成：

一个256KB程序Flash读取分区（非交错1×256KB）

32KB读取分区（非交错1×32KB）

一个2KB

当配置为模拟时，关联将从内存映射中消失，如图所示

2.3.256 KB 程序闪存/64 KB /4 KB 模块 ()

该256KB FTFC闪存模块由两个NVM读取分区和一个块组成：

一个256KB程序Flash读取分区（非交错1×256KB）

64KB读取分区（非交错1×64KB）

一个4KB

当配置为模拟时，关联将从内存映射中消失，如图所示

2.4.512 KB 程序闪存/64 KB /4 KB 模块 ()

512K BFTFC闪存模块由2个NVM读取分区和1个块组成：

一个512KB程序Flash读取分区（交错2×256KB）

1 个读分区（非交错 1×64KB）

一

当配置为模拟时，关联将从内存映射中消失，如图所示

2.5. 1MB 程序闪存/64 KB /4 KB 模块 ()

1M BFTFC闪存模块由3个NVM读取分区和1个块组成：

两个512KB程序闪存读取分区（交错2×256KB）

1 个读分区（非交错 1×64KB）

一

当配置为模拟时，关联将从内存映射中消失，如图所示

2.6.2MB 程序闪存/64 KB /4 KB 模块 ()

2M BFTFC闪存模块由4个NVM读取分区和1个块组成：

三个512KB程序闪存读取分区（交错2×256KB）

共享程序/数据 flash() 读分区（交错 2×256KB） 该共享读分区由 448KB（交错 2×224KB）和 64KB（交错 2×32KB）区域组成。

一

最后一个分区（448KB 程序闪存和 64KB 数据闪存/区域）是共享单读分区，需要予以考虑，因为在访问 64KB 数据闪存/区域时，代码可能无法从 448KB 程序闪存区域执行。

由于它被配置为在 2MB 模块上进行模拟，因此剩余值限制为 64KB 或没有。

2.7 内存映射

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各种类型的闪存和闪存寄存器都有不同的基地址，如下图所示。每个基地址在系列映射分布表中指定

2. FLASH存储器模式

FTFC模块有两种工作模式，NVM正常模式和NVM特殊模式。 在此芯片上，FTFC 始终配置为 NVM 正常模式。 该芯片没有为 NVM 特殊模式配置 FTFC 操作条件。

三、功能说明 1、删除FLASH中所有内容

软件可以通过一系列外设总线写入 FTFC 寄存器来启动“擦除所有块”命令。 此外，可以按照以下顺序从外部 SWJ-DP 调试端口移除整个闪存：

1. 设置 MDM-AP 控制 [0]。

2.MDM-[0]置位表示已接受批量删除命令。

3.当批量擦除完成时，MDM-AP [0]被清除。

2.同时操作读分区

从特定读取分区执行时，FTFC 命令（并行引导除外）无法在该读取分区上运行。 以下是每个设备中读取分区的数量：

四、详细说明 1. FTFC 模块说明

FTFC 模块包括以下可访问的存储区域：

向量空间的程序闪存和代码存储

用于数据存储和其他代码存储

用于高速数据存储或传统 RAM

FTFC 模块包括一个存储器控制器，用于执行修改闪存内容的命令。 擦除的位读取“1”，编程的位读取“0”。 编程操作是单向的，只能将数据位从“1”状态（擦除）移动到“0”状态（编程）。 只有擦除操作才能将一位从“0”恢复为“1”； 位不能从“0”编程为“1”。

闪存位置必须处于已擦除状态。 不允许在闪存位置内进行累积位编程（没有中间清除例程的连续编程操作）。 不允许将现有的 0 重新编程为 0，因为这会使器件承受过大的压力。 Flash 的标准运输条件。 随着时间的推移，由于擦除（“1”）状态和/或编程（“0”）状态的退化，可能会发生数据丢失。 因此，建议在工厂编程之前立即重新擦除每个闪存块或扇区，以确保完整的数据保留。