chanong 1. 检测二极管
检波二极管的主要作用是检出高频信号中的低频信号。 其结构为点接触式，结电容小，工作频率高。 一般由锗材料制成。 原理上，从输入信号中取出调制信号就是检测。 以整流电流的大小（100mA）为界，通常将输出电流小于100mA称为检测。 锗材料点接触型，工作频率可达，正向压降小，结电容小，检测效率高，频率特性好，为2AP型。 用于检测的二极管，例如点接触型，除了检测之外，还可以用于限制、限幅、调制、混合和开关等电路中。 还有两个特性一致性良好的二极管组件专门为FM检测而设计。
2、整流二极管
原则上，从输入交流得到输出直流就是整流。 以整流电流的大小（100mA）为界，输出电流大于100mA通常称为整流。 表面结型，因此结电容较大，一般在3kHZ以下。 最大反向电压范围为25伏至3000伏，分为A至X 22级。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型，②硅桥式整流器QL型，③高压用2CLG型电视机中的硅堆叠具有接近的工作频率。
3、限流二极管
二极管正向导通后，其正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。 利用这一特性，可以在电路中作为限幅元件，将信号幅度限制在一定范围内。
大多数二极管都可以用作限制器。 还有特殊的限流二极管，例如用于保护仪器和高频齐纳管的二极管。 为了使这些二极管对限制尖锐幅度具有特别强的效果，通常使用由硅材料制成的二极管。 也有出售这样的元件：根据限压的要求，将几个必要的整流二极管串联起来，形成一个整体。
4. 调制二极管
通常指专用于环形调制的二极管。 它是由四个二极管组装而成，具有良好的正向特性一致性。 尽管其他变容二极管也具有调制用途，但它们通常直接用于频率调制。
5. 混频二极管
当使用二极管混合方法时，肖特基型和点接触型二极管大多用于500至10,000Hz的频率范围。
6. 放大二极管
二极管放大一般包括依靠隧道二极管、体效应二极管等负阻器件的放大和使用变容二极管的参量放大。 因此，放大二极管通常指的是隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7. 开关二极管
在正向电压作用下，二极管的电阻很小，处于导通状态，相当于一个导通开关； 在反向电压的作用下，电阻很大，处于截止状态，就像一个断电开关。 利用二极管的开关特性，可以构成各种逻辑电路。
有用于小电流（10mA左右）的逻辑运算和用于数百毫安电流的磁芯励磁的开关二极管。 小电流开关二极管通常包括点接触型和键型二极管。 还有可以在高温下工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。 开关二极管的特点是开关速度快。 肖特基二极管的开关时间极短，使其成为理想的开关二极管。 2AK型点触点用于中速开关电路； 2CK型平面触点用于高速开关电路； 用于开关、限制、钳位或检测电路； 肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，快速高效。
8.变容二极管
用于自动频率控制（AFC）和调谐的低功率二极管称为变容二极管。 日本制造商还有许多其他名称。 通过施加反向电压，其PN结的静电容量发生变化。 因此用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐。 虽然通常使用硅扩散二极管，但是也可以使用特制的二极管，例如合金扩散型、外延接合型、双扩散型等，因为这些二极管的电容相对于电压的变化率特别大。 结电容随反向电压VR的变化而变化，取代了可变电容。 它用作调谐环、振荡电路和锁相环。 常用于电视调谐器的频道转换和调谐电路，多采用硅材料制成。
9. 倍频二极管
至于二极管的倍频效果，有依靠变容二极管倍频和依靠阶跃（即突变）二极管倍频。 用于倍频的变容二极管称为可变电抗器。 虽然变容二极管的工作原理与用于自动频率控制的变容二极管相同，但电抗器的结构可以承受高功率。 阶跃二极管也称为阶跃恢复二极管。 从开到关切换时，其反向恢复时间trr很短。 因此，其特点是快速关闭的过渡时间显着缩短。 如果将正弦波施加到阶跃二极管，由于tt（过渡时间）很短，输出波形会突然夹断，因此会产生大量高频谐波。
10. 齐纳二极管
这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的。 二极管两端的电压在电路中基本保持不变，从而起到了稳定电压的作用。 是替代稳压电子二极管的产品。 制成扩散型或合金型硅。 它是反向击穿特性曲线突变的二极管。 用作控制电压和标准电压。 二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）范围为3V～150V左右，并可按每10%分为多个等级。 功率方面，也有200mW到100W以上的产品。 工作在反向击穿状态，采用硅材料制成，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等； 两个互补二极管反向串联，以降低温度系数，这就是2DW型。
齐纳二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃，齐纳电压值的变化。 稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值降低（温度导致价电子上升到更高能量）； 稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于齐纳击穿（雪崩击穿）），即温度升高时稳定电压值升高（温度使原子振幅增大，阻碍载流子的运动） ）； 而稳定电压在4～7V之间的管子，温度系数非常小，接近于零（齐纳击穿和雪崩击穿）。
11.PIN二极管（PIN二极管）
这是一种在 P 区和 N 区之间夹有一层本征半导体（或低浓度杂质半导体）构造的晶体二极管。 PIN中的I是英文缩写，意思是“内在”。 当其工作频率超过时，由于少数载流子的存储效应和“本征”层中的渡越时间效应，二极管失去整流作用，成为阻抗元件，其阻抗值随偏置电压的变化而变化。 改变。 在零偏压或直流反向偏压下，“本征”区域的阻抗非常高； 在直流正向偏压下，由于载流子注入“本征”区，“本征”区出现低阻抗状态。 因此，PIN二极管可以用作可变阻抗元件。 常用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12.雪崩二极管（Diode）
它是一种在外部电压作用下能产生高频振荡的晶体管。 产生高频振荡的工作原理是利用雪崩击穿向晶体中注入载流子。 由于载流子穿过晶体需要一定的时间，因此电流滞后于电压，从而产生延迟时间。 如果渡越时间控制得当，则电流和电压之间的关系就会出现负阻效应，导致高频振荡。 常用于微波领域的振荡电路中。
13.江崎二极管（Diode）
它是一种以隧道效应电流为主要电流成分的晶体二极管。 其基材为砷化镓和锗。 P型区域的N型区域是高掺杂的(即，具有高浓度的杂质)。 隧道电流是由这些半导体中的量子力学效应产生的。 隧道效应的发生需要满足以下三个条件：①费米能级位于导带和全能带； ②空间电荷层的宽度必须很窄（0.01微米以下）； 简并半导体的P型和N型区域中的空穴有与同一能级的电子重叠的可能性。 江崎二极管是两端有源器件。 其主要参数是峰谷电流比IP/PV)，其中下标“P”代表“峰值”； 下标“V”代表“谷”。 江崎二极管可用于低噪声高频放大器和高频振荡器（工作频率可达到毫米波段），也可用于高速开关电路。
14.快速关断（阶跃恢复）二极管（Step Diode）
它也是一个带有PN结的二极管。 其结构特点是在PN结边界处有陡峭的杂质分布区，从而形成“自服务电场”。 由于PN结在正向偏压下与少数载流子导电，并且在PN结附近具有电荷存储效应，因此反向电流需要经过一段“存储时间”才能降至最小值（反向电流）。 饱和电流值）。 阶跃恢复二极管的“自服务电场”缩短了存储时间，快速切断反向电流，并产生丰富的谐波成分。 可以使用这些谐波分量来设计梳状频谱生成电路。 快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路。
15.肖特基二极管（Diode）
它是一种具有肖特基特性的“金属-半导体结”二极管。 其正向启动电压较低。 除了材料之外，金属层还可以采用金、钼、镍、钛等材料。 半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。 该器件是多数载流子传导的，因此其反向饱和电流比少数载流子传导的PN结大得多。 由于肖特基二极管中少数载流子的存储效应很小，因此其频率响应仅受RC时间常数的限制。 因此，它是高频、快速开关的理想器件。 其工作频率可以达到。 此外，MIS（金属-绝缘体-半导体）肖特基二极管可用于制造太阳能电池或发光二极管。
可作为续流二极管，在开关电源的电感和继电器等感性负载中起到续流作用。
16. 阻尼二极管
阻尼二极管多用于高频电压电路中。 它们具有较高的反向工作电压和峰值电流，以及较小的正向压降。 高频高压整流二极管在电视扫描电路中用于阻尼和升压整流。 常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2等。
17.瞬态电压抑制二极管
TVP管为电路提供快速过压保护。 分为双极型和单极型，按峰值功率（500W-5000W）和电压（8.2V~200V）分类。
18.双基极二极管（单结晶体管）
一种二基极一发射极的三端负阻器件，用于张弛振荡电路和定时电压读出电路。 具有频率调节方便、温度稳定性好等优点。
19. 发光二极管
它由磷化镓和砷化镓磷材料制成，尺寸小，正向驱动发光。 工作电压低、工作电流小、发光均匀、寿命长，可发出红、黄、绿、蓝单色光。 随着技术的进步，最近开发出白光高亮度二极管，形成LED照明的新兴产业。 也用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
20.硅功率开关二极管
硅功率开关二极管具有高速开通和关断的能力。 主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速以及驱动电路中的高频整流和续流钳位。 它具有软恢复特性和过载能力强等优点，在计算机中得到广泛应用。 、雷达电源、步进电机调速等。
以上是常见的二极管类型。 具体选择应根据实际情况确定。 如果您觉得文章对您有帮助，可以继续关注IC先生网站！
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